ترانزیستور های اثر میدان

fet های " فلز اکسید - نیمه هادی " یا MOSFET

یان قطعه از مهمترین نوع ترانزیستور ها مبدل گشته که بر روی تراشه بسیار ظریف و کوچک هستند و بالاخره اینکه MOSFET ها توان مصرفی بسیار ناچیزی دارند .

عملکرد MOSFET :

همه  MOSFET ها از نوع N یا P  هستند . بر خلاف FET های پیوندی ، گیت یک MOSFET با سورس یا درین ، هیچ تماسی اکتریکی ندارد . یک لایه شیشه ای مانند بی اکسید سیلیکون ( به عنوان عایق ) ، تماس فلزی گیت از بقیه ترانزیستور ها را جدا میسازد .

جود یک ولتاژ مثبت در گیت ، الکترون ها را به سمت ناحیه ای که در زیر گیت واقع شده اند جذب میکند این عمل باعث ایجاد یک کانال نوع N نازک در سیلیکون  نوع  P  مابین سورس و درین میگردد.از این پس ، جریان قالیت عبور از کانال را پیدا کرد و ولتاژ گیت ، مشخص کننده مقاومت کانال خواهد بود . 

نکات :

* مقاومت کانال گیت تقریبا بی نهایت است .

MOSFET ها قادرند در یک زمان بسیار کوتاه ، جریان زیادی را قطع و وصل کنند .

انواع  MOSFET ها :

جهت تامین مقاومت ورودی بسیار زیاد برای تقویت کننده ها بکار میروند .

* MOSFET  های قدرت که برای انجام عملیات سویچینگ فقط به چند ولت نیاز داشته و در عین حال قادرند جریان بسیار زیادی را با سرعت خارق العاده ای ، تقویت نمایند .

/ 1 نظر / 66 بازدید

سلام دوستان محترم و عزیز تعداد رأی‌ها به شکلی تغییر کرده که سهم "persianGulf" به 54درصد نزدیک شده و به این معنی‌ است که گوگل به زودی مجبور خواهد شد اسم "Arabian Gulf" را انتخاب کند. من این ایمیل را برای 20 نفر فرستاده‌ام. اگر هر نفر شما آن را به ده نفر جدید بفرستید ، و این کار ۳ دفعه تکرار بشود ، تعداد رأی‌ها از یک میلیون می‌گذرد. لطف کنید به خاطر خودمان و نسل‌های آینده کوتاهی‌ نکنیم. با سپاس. http://persianorarabiangulf.com/